香港商富士通微电子有限公司台湾分公司宣布其2 Mbit FRAM内存芯片已开始供货上市，为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通的MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存，具备高速数据写入、低功耗、大量写入周期等特点，适用于汽车导航系统、多功能打印机、测量仪器及其它需使用非挥发性内存来储存各种参数、记录设备操作条件与保存安全信息的各项高阶应用。

FRAM组件的高速数据写入和大量写入周期功能，非常适合办公设备中储存事件计数或参数，以及记录各种事件等用途。FRAM组件可提供100亿次的读/写周期，相当于以每秒写入30次的速率连续写入10年。此外，FRAM组件不需电池即可储存数据达10年以上。即使当仪表设备等应用面临电源临时中断之情况，富士通的FRAM写入机制仍能确保数据可高速写入FRAM组件，而不会损失任何重要数据。

MB85R2001芯片组态为256K字数x 8位；MB85R2002芯片组态为128K字数x 16位。此两种格式的读取时间均为100ns，读/写周期则为150ns，操作电压则介于3V到3.6V之间。

富士通微电子亚太区系统LSI产品市场部副总监郑国威先生表示：「FRAM技术对于那些需要大量写入周期、低功耗及高速数据写入等功能的应用设备是最理想的选择。这些新的FRAM组件具备增强功能与更大的内存容量，可满足新型汽车、仪表设备及其它高阶设计的要求。此外，新款FRAM组件具备富士通1Mbit FRAM的电气特性，只需增加连接一个地址，即可轻易转移至更高容量的版本。」

富士通微电子领先业界投入FRAM开发，并从1999年起就开始FRAM的量产，到目前为止，其FRAM组件的全球销售量已超过5亿颗，其中包括独立型内存芯片与嵌入式FRAM内存芯片。为因应市场对于FRAM内存的需求持续增加，富士通决定将内存的容量加倍，并开发出MB85R2001和MB85R2002组件产品。相较于以电池供电的SRAM组件，FRAM无需使用电池的优势，可让顾客简化生产流程，并省去更换电池及产品维护的麻烦。与富士通其他所有的FRAM组件一样，MB85R2001和MB85R2002藉由减少材料使用量，以符合环保相关国际法规。

新款的2Mbit FRAM组件与目前富士通正量产的1Mbit FRAM组件—MB85R1001和MB85R1002—具备相同的电气特性，并采用TSOP-48封装方式。只需增加连接一个地址，顾客即可将1Mbit FRAM组件转移至2Mbit的组件上。因此，顾客可根据所需的内存容量，在同一块印刷电路板上选择使用1Mbit或2Mbit的FRAM组件。