Ramtron成功开发业界首款200万位（Mb）、采用8脚TDFN（5.0×6.0mm）封装的串行F-RAM内存。FM25H20以130奈米CMOS制程生产，是一款高密度的非挥发性F-RAM内存，它以低功耗操作，并且具有高速串行周边接口（SPI）。这款3V、2Mb串行F-RAM组件可以最大的总线速度写入，具有几乎没有限制的耐用性，更大的数据收集能力，及采用微型封装，这些使得系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。

FM25H20是低功耗和最小板卡空间精密电子系统中串行闪存的理想替代产品。这些应用包括可携式医疗设备如助听器等，实际上，它们是微型数据处理器，但受到空间有限及功耗低的限制。与闪存相比，F-RAM的优势包括可以大幅降低工作电流、写入速度更快、写入耐用性更比闪存高出更多。

Ramtron策略市场拓展经理Duncan Bennett表示：「对于那些需要在其新一代应用中提高数据收集能力，却不想增加板卡空间的计量和打印机客户而言，这款2Mb串行F-RAM是自然的产品延伸。FM25H20在占位面积一样小的情况下，为50万位串行F-RAM客户提供高达四倍的储存能力。除提升现有系统外，这种技术的发展还推动F-RAM得以进入多个需要低功耗内存而空间严重受限的新兴市场，如可携式医疗设备等。」

FM25H20是一款采256K×8位安排的非挥发性内存，以高达40MHz的总线速度进行读写操作，具有几乎没有限制的耐用性、10年的数据保存能力，以及低工作电流。该组件具有工业标准的SPI接口，优化了F-RAM的高速写入能力。FM25H20还具有软件和硬件写保护入功能，能避免意外的写入与数据损坏。

这款2Mb串行F-RAM以低功耗工作，在40MHz下读/写操作的耗电低于10mA，待机状态下耗电为80µA（典型值），超低电流睡眠模式下耗电为3µA（典型值）。FM25H20与同效的串行闪存组件接脚兼容，并且具备快速存取、高耐用性和低工作电流等特性，比闪存更有优势。该组件在整个工业温度范围内（-40℃至+85℃）、在2.7至3.6V电压下工作。

FM25H20以德州仪器已被验证过的130奈米CMOS制程为基础。在标准CMOS 130 nm逻辑制程内嵌入非挥发性F-RAM模块，仅使用了两个额外的光罩步骤。