茂德科技公司积极扩张动态随机存取内存(DRAM)版图，决定展开第二座12吋晶圆厂投资计划，目前已针对三到四处厂址进行评估，最快明年下半年动工，从0.1微米制程切入，并不排除和国际IDM大厂合资。

茂德营业处处长兼发言人林育中10日表示，原本预定利用茂硅在台南科学园区预定的土地兴建，但高铁振动使华邦、硅统等决定撤出南科，茂德也决定放弃，转寻海外或国内其他据点兴建。海外设厂评估关键系考虑国际化，至于国内设厂的考虑因素系便于管理。

林育中强调，茂德去年随机存取内存产能在全球市场占有率约5%，排名第七位，虽然近期DRAM价格低迷，但茂德仍坚信DRAM仍是一项长期获利相当不错的产业，为扩大产品优势，有必要投资兴建第二座12吋晶圆厂。