据工商时报报导，DRAM市场今年未出现年底旺季行情，近期更因终端市场需求疲弱使DRAM现货价格连日下挫，不过DRAM后段封装测试因产能不足，代工价格持续上涨，已严重压缩DRAM厂获利能力。部份二线DRAM厂为了节省测试成本，开始大量出货未测试（UTT）晶圆，只是未测试晶圆价格低迷，DRAM厂此举反而加重现货价格跌势。

该报导指出，PC虽然因为英特尔下半年调降P4处理器与芯片组价格，出货量明显增加，但因LCD面板与被动组件价格上涨，OEM厂为维持获利而将DRAM搭载标准容量由256MB降低至128MB，压抑DRAM市场整体需求，使得10月以来DRAM市场旺季不旺。而依传统经验来看，11月份是DRAM景气循环高峰，所以现在价格若走软，代表原本疲弱的市场需求将进一步降低，12月与明年首季DRAM价格恐有持续下跌危机。

虽然DRAM价格不停下跌，但后段封装测试却因产能吃紧，代工价格不断上调，目前一颗DDR芯片封测成本平均已近0.8美元。对DRAM厂来说，现货价续跌，但封测成本续涨，已压缩到获利能力，因此部份二线DRAM厂为了降低封测成本，开始大量出货未经测试的晶圆至现货市场，加重DRAM现货价格跌势。

模块业者表示，DRAM传输速度虽然愈来愈快，但已无法推动消费者的购买力，加上DRAM市场仍未见到可大量消耗产能的杀手级应用，所以未来DRAM市场需求将不会有太大成长，DRAM价格涨跌将会决定在供给量的多寡，唯有供给端控制产能，价格才有上涨动力，不过以目前DRAM供给端现况来看，价格下跌压力将会持续至明年上半年。