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iSuppli:明年DRAM市场将出现负成长
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2005年12月16日 星期五

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尽管市场分析师看坏明年DRAM市场,但实际上今年第四季价格大跌,部份DRAM厂获利大幅缩减,对明年的扩产动作已转为谨慎保守,所以明年全球DRAM市场景气是好是坏,台湾业者的动作将是重要关键。

今年下半年芯片组缺货已压抑了市场需求,但DRAM厂端还是不断扩大投片量,在市场供给过剩压力下,下半年以来价格已下跌约三成左右幅度,全年价格跌幅更达五成。由于明年还有许多DRAM厂的十二吋厂新产能即将开出,在预期DRAM供给过剩压力将持续情况下,包括iSuppli及迪讯(Dataquest)等市场调查机构,对明年DRAM市场展望均较为悲观,iSuppli更认为明年DRAM市场出现负成长。

对于市调机构的悲观论调,力晶董事长黄崇仁还是对市场前景维持乐观看法,并明确表示明年DRAM市场还是会持续成长。另在供给量上,很多国际大厂将DRAM产能移转生产NAND闪存,90奈米制程要全面性导入量产,仍要一段前置学习曲线,在供给量成长幅度仍不大、消费性电子产品DRAM需求量快速成长、个人计算机DRAM需求维持稳定成长等情况下,明年DRAM市场不致于会出现负成长。

黄崇仁说,在标准型DRAM市场上,台湾业者这二年来大幅兴建十二吋厂,但国际大厂却是持续将产能移转生产高获利的NAND芯片、CMOS影像传感器等非DRAM产品,就算像英飞凌、Hynix一样委外代工,合作伙伴仍以台湾业者为主,加上DRAM产品线正因需求转换而呈现多角化发展,所以只要台湾DRAM厂可有效控制产能扩张幅度,明年DRAM市场应仍是平稳的一年,当然就没有看坏悲观的理由。

關鍵字: DRAM  力晶半导体  动态随机存取内存 
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