意法半导体（STMicroelectronics）与CMP (Circuits Multi Projects）共同宣布，将提供由意法半导体所开发的45nm CMOS制程给样品试制之用的厂商与单位。透过样品制造与少量生产用途的IC代理商CMP，可向大学、研究机构以及企业提供用于新一代系统级芯片（SoC）的45nm CMOS制程。

另外，该两公司还宣布将面针对学术研究用途提供采用SOI底板的65nm CMOS制程。该制程也将透过CMP提供。意法半导体表示，采用SOI底板可以使LSI芯片的性能比采用Bulk底板时更高，还可以降低耗电量。该公司表示，目前已有100多家大学获得了采用该公司Bulk底板的65nm CMOS制程设计规则和设计套件。

在此之前，曾有IBM、三星电子（Samsung）、英飞凌科技（Infineon）与特许半导体等四家厂商共同发表绘图处理LSI芯片的45nm Bulk CMOS制程技术。该技术是透过改进应变硅技术，与源极、漏极活性化技术，获得了栅长35nm的nMOS为1150μA/μm、以及栅长35nm的pMOS为785μA/μm（截止电流100nA/μm）的电流驱动性能，这是当时产业的最高水平。