根据CNET网站报导，AMD日前发表一个实验性的「三闸极」（3 gates）晶体管，希望为芯片找到一种既可提高效能又可省电的方法。在东京召开的国际固态电子零件及材料大会（International Conference on Solid State Devices and Materials）上，AMD讨论了这项还在构思但尚未实现的晶体管技术，希望这种技术能够解决未来芯片设计的困难。

半导体厂商正处于两难的状况，就是如何在不过热或者是漏电过多之下，提高芯片速度。因此，芯片商正在重新考虑产品的基本构造，包括晶体管的结构――这是芯片内部的开关装置。

AMD的处理技术开发副总裁Craig Sander表示，竞争让我们必需这么做。产业观察家认为，虽然芯片结构已经变得更加复杂，但是在过去几年里制造商之间的竞争日趋激烈。在英特尔开发者论坛（Intel Developer Forum）上，英特尔总裁Paul Otellini展示的一张图表显示，1980年代芯片制造商在芯片制造中只使用元素周期表中的15个元素，而到现在已经使用了大约一半的元素。微处理器报告（Microprocessor Report）的主编Peter Glaskowsky强调，一些最新的元素是具有放射性的。

六月间，英特尔首次介绍了三闸极式的晶体管概念，但是在各个企业和大学的实验室里还有许多别的想法。在被讨论的概念当中：用金属氧化物代替传统的硅闸，其功能是调解电流；为芯片增加绝缘层；使得硅网格发生物理张力让电子移动速度增加。AMD也正在以鳍形的双晶体管来代替三闸极式晶体管。

各家厂商解决问题的方法不尽相同。英特尔的Prescott芯片将于今年年底出货给计算机制造商，该芯片将包括张力硅晶（strained silicon）技术，但英特尔还没有在绝缘体上采用硅，这种方法宣称可以减少漏电。相较之下，AMD和IBM已经在绝缘体中使用某种形式的硅，但是要到2005年以后才会采用张力硅晶技术。