英特尔日前公布了将用于生産下一代微处理器的65nm半导体制造技术的详情，此技术将用于多核心架构的处理器，并定于2005年开始量産，将由300mm晶圆半导体制造厂负责生産。

根据英特尔公布的技术内容，作爲运行速度指针的晶体管栅长爲35nm，比90nm制程缩短了约30%，晶体管栅氧化膜的厚度爲1.2nm。作爲高密度指针的栅间隔（接触栅间隔）爲220nm，也比90nm制程缩短了约30%。为了同时提高密度和性能，布线层数爲8层，比90nm制程的布线层数多1层。布线层之间的绝缘膜使用了涂有碳的氧化膜类low-k材料。

英特尔使用这项制造技术，试産了储存容量爲70Mbit的大容量SRAM，并证实完全可以正常工作。英特尔表示，该公司今后仍将每2年完成一次制造技术的更新换代，摩尔定律仍将长期适用下去。