快捷半导体日前才完成收购碳化硅(SiC)功率晶体管企业TranSiC，掌握了最关键的SiC材料与制程技术，并且能够在超广温度范围下有亮眼出色的性能，以及高于金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）和接面场效晶体管（JFET）技术的双极SiC晶体管技术。而2012年11月的现在，快捷半导体郑重向外界宣布迈向碳化硅(SiC)功率半导体组件元年正式到来，锁定风力发电逆变器、太阳能逆变器(Inverter)、工业驱动、混合动力车、纯电动车(BEV)、不断电系统(UPS)等高功率转换应用领域市场这块大饼。

双极晶体管（BJT）将预定在2013年开始进行量产，正式加入与其他SiC功率半导体供货商一起争夺5kW以上高瓦数应用市场的争夺战。双极晶体管（BJT）是该产品系列的第一批产品，能在高工作温度下提供最低的整体功率损耗，快捷亚太区市场营销副总裁蓝建铜提到，快捷半导体第一款SiC BJT能够提供最高转效率的电源开关，重点在于开关的损耗低，具备高效能、高电流密度、耐用性高，且可轻易在高温条件下运作，可实现更高开关频率，因其导通和开关损耗更低（约 (30-50% 不等)，在同样的系统形态条件下，可提供高达40%的输出功率。

工业应用及电力电子设计者在其设计中一直面临不断提高效率及降低功率损耗方面的挑战，例如：可再生能源、高密度电源、工业电机驱动器、汽车、钻井下作业设备等应用中，提高这些关键设计能力可能使设计变得复杂，以及整个系统成本增加。目前SiC功率半导体价格与传统硅功率半导体组件相比仍高出太多，不过SiC功率半导体具备高密度与高转换效率优势，尤其是在5kW以上的相关应用，比起传统硅功率半导体组件印刷电路板节省将近一半的被动组件，所以整体物料列表成本可望有20%的减幅，而在尺寸方面又能够缩小30～50%。

未来如果SiC BJT价格持续下降，可望能够增加功率半导体的市占率，但要减低SiC BJT的制造成本势必要提高制程的良率。为了协助设计者克服这些挑战，快捷半导体宣告碳化硅（SiC）技术解决方案，同时计划明年将开始委外代工，并藉由收购TranSiC而运用SiC BJT的技术能量，渐渐迈向经由微调制程来突破量产这项挑战。