Spansion公司今日宣布推出两套全新闪存系列组件，采用的是110奈米浮置闸极技术，并正式进入量产阶段。此系列新产品将大幅提升现有无线设计方案之价格效能比，预计将能满足AMD(NYSE:AMD)与Fujitsu(TSE:6702)其广大客户之需求。

新款高效能S29WS-J 与S29NS-J 闪存是属于全功能1.8伏特解决方案，协助业者能够从现今130奈米浮置闸极技术的主流设计，迅速跃升进入崭新世代。而为了支持多元化的客户产品，新系列方案不仅提供128与64 megabit的密度、高频率快冲模式接口、以及同步读写模式，更提供单晶粒与多晶粒的封装(MCP)组态。

Spansion事业群副总裁暨无线事业部总经理Amir Mashkoori表示：「为满足新兴与现有市场需求，我们的顾客正面临极大的压力，以整合手机的多功能及效能；而立即改善内存的价格效能比将会是重要的成功关键。为因应客户迫切需求，我们成功验证110奈米浮置闸极技术，并在6个月内便推出三套性质截然不同、阵容完整的无线产品优化方案系列。也因此，Spansion一系列全功能、130奈米以下制程的产品，可说全面涵盖了各种无线应用客户厂商的需求，让其它制造厂商望其项背。」

截至目前为止，Spansion 是唯一提供全系列突破130奈米制程门坎1.8伏特与3伏特无线NOR闪存的制造商；在Spansion Fab 25德州奥斯汀晶圆厂的出厂产品中，有超过50%是采用Spansion? 110奈米浮置闸极技术，它的优点在于缩小现今130奈米浮置闸极内存的组件尺吋，并进而提升组件的产能及改善成本结构，此外这项技术亦支持Spansion先前发表的3伏特分页模式S29PL-J系列组件。