账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
华邦明年将采8吋厂0.175微米FLASH制程技术
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2000年12月07日 星期四

浏览人次:【3793】

华邦电子规划明年运用8吋厂0.175微米制程,投片生产高密度闪存 (Flash),预计制程技术将超过旺宏;Atmel控告华邦侵权案,可望于12月16日宣判,华邦电上诉成功将获得每颗0.7美元的保证金退回。

华邦电表示,该公司近期与外商业者签订Flash开发制造合约,正式引进高密度Flash生产技术 (NAND及NOR),预计明年以0.175微米制程试产数据储存型 (Data)及指令存取型(Code)Flash,制程与英特尔相当。

目前华邦电Flash产品尚属低阶,由华邦一、二厂 (5吋及6吋厂)产出,制程为0.5微米以上,销售美国比率仅占3%左右;四、五厂月产能3万片,明年加入Flash投片后,有充裕产能及制程技术发展32Mb以上高密度产品。

關鍵字: 快闪记忆体   华邦电子  旺宏電子  多次刻录只读存储器 
相关新闻
台湾美光台中四厂正式落成启用 将量产HBM3E及其他产品
Microchip 28奈米SuperFlash嵌入式快闪记忆体解决方案开始量产
旺宏OctaFlash快闪记忆体 获车辆安全标准ISO 26262 ASIL D认证
美光发布记忆体扩充模组 加速CXL 2.0应用
NetApp Partner Sphere合作夥伴计画 解决现今快闪记忆体和云端客户复杂需求
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» 未来无所不在的AI架构导向边缘和云端 逐步走向统一与可扩展
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8C56SUY16STACUKL
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: [email protected]