闪存 (Flash)族群，力晶、茂硅预定年底投片试产，世界先进也预定明年第二季加入竞逐行列，华邦电及南亚科技也决定透过技术开发提升技术层次，则决定在近期导入0.15微米制程技术试产高密度闪存，拉大竞争者的差距。在DRAM厂饱受DRAM价格惨跌的压力，各厂几乎都布重兵钻研开发闪存的技术，准备转进这项利基产品。茂硅日前即宣布，该公司在美国圣荷西的研发团队，经一年多投入上亿美元研发经费，从事高密度度flash开发工作，近期已获重大突破，正式完成首颗64Mb Flash设计，预定明年初导入茂德8吋厂，以0.18微米制程技术进行试产。力晶也宣布转投资从事闪存技术研发的力旺科技，也完成这项产品技术开发，可望在年底由力晶进行试产。华邦电甚至宣布未来淡出标准型DRAM，全力冲刺利基型内存，并将闪存列为主要冲刺标的。为提升技术层次，提升产品竞争力，华邦电甚至与全球闪存排名第四位的日商夏普合作，双方决定共同研发先进的0.18微米制程及0.13微米制程的下世代闪存产品，其中0.18微米制程产品估明年问世。另外，美商超威（AMD）昨（15）日宣布，与日本富士通（Fujitsu）合资经营的闪存厂，开始供应0.17微米制程产出的先进闪存。从动土到取得资格评定、开始量产，整个过程仅耗时15个月，为超威首次纪录