英飞凌科技(Infineon Technologies)发表多重闸极场效晶体管(Multi-gate field-effect tran-sistor)技术，在面积小又需要众多功能的集成电路上，比今日的平面单闸极技术(Planar single-gate)所消耗的功率要小很多。英飞凌的研究人员测试了采用全新65nm多重闸极场效晶体管架构，所制造全球第一个高复杂性电路，和目前的单闸极技术所生产出相同功能和效能的产品相比较，其面积几乎要缩小约30%，这类新晶体管的静态电流是之前的十分之一而已。依据研究人员的计算，和目前在生产制程使用的65nm技术相比，如此之静态电流将会使携带式装置的能量使用效率和q池寿命增加达一倍左右。未来的制程技术 (32nm及之后的技术)还将进一步大幅提高此比例。

重闸极场效晶体管技术

英飞凌董事及通讯解决方案事业群主管Hermann Eul博士表示：「我们拥有全球首创65nm多重闸极技术之集成电路，已经证明了在半导体产业制程上的精进，不仅仅只是面积的降低而已。今日我们所面对的挑战，是要如何更有创意的发挥可用之制程和材料，尽可能把技术提升至具成本效益的地步。我们研究员所获得的结果让人印象深刻。此外，根据目前获得的结果，我们预期多重闸极技术将会提供绝佳之机会持续将CMOS装置发展至32nm 及之后的技术。」

由英飞凌研究员所测试的65nm电路包括超过3,000个主动式晶体管，以三度空间多闸极技术生产出来。许多结果均确认多闸极技术和当今的各种成熟技术一样的优异，但以相同的各种功能来说，所消耗的能量只有一半左右，在未来的技术世代来说，此优势将确信会愈来愈重要。