先进微影材料厂商罗门哈斯电子材料公司微电子技术事业部与全球材料、应用技术及服务整合领导厂商--Dow Corning日前宣布延展双方的共同开发协议，以针对次65奈米的闪存、DRAM和逻辑组件合作开发创新的旋涂式硅硬罩幕抗反射（spin-on silicon hardmask anti-reflective）涂层产品。

罗门哈斯电子材料与Dow Corning是在两年前展开此项合作计划，双方在这段期间成功推出首款商用旋涂式硬罩幕材料，并有多家亚洲客户将它导入高产量闪存的生产作业。先进硬罩幕抗反射涂层必须有高硅含量才能提高蚀刻选择性，因此Dow Corning开始供应特别的树脂材料（resins），它在加入罗门哈斯电子材料公司的硬罩幕抗反射涂层产品后可以提供很高的硅含量。

罗门哈斯电子材料公司微电子技术事业部总裁Dr. Yi Hyon Paik表示：「我们拥有领先业界的抗反射材料研发团队，而Dow Corning则是半导体市场中在聚合物化学与生产领域极具实力的主要硅材料公司，双方的合作已为彼此客户带来极大好处。同时，客户对于我们创新的硅硬罩幕产品反应相当热烈，我们正积极开发和测试更多的新产品，预计在不久的将来即可将这些新产品提供给我们的客户。」

这些新的旋涂式硅硬罩幕抗反射性涂层可以让半导体制造商利用传统蚀刻制程将电路图案非常精确地转印到各种硬度与厚度的基材。这旋涂式硅硬罩幕抗反射涂层兼具传统化学气相沉积（CVD）硬罩幕的蚀刻光罩功能，以及通常需再多用另一种旋涂式有机抗反射剂才能提供的反射控制能力。所以省去了这项CVD硬罩幕所需的抗反射材料涂布制程将可大幅缩短半导体的制造流程。

「Dow Corning与罗门哈斯电子材料利用双方的先进材料技术来提高微影制程的有效分辨率，使两家公司在延续传统光学微影技术上一直扮演关键的角色。」Dow Corning先进技术与创投事业的企业副总裁暨总经理Marie Eckstein表示，「随着半导体产业开始展望65奈米以下之世代，我们将持续合作以协助半导体制造商延持续朝摩尔定律（Moore's Law）所描绘的技术发展道路前进。」

当这种旋涂式硅硬罩幕用于三层图案转移制程（trilayer pattern transfer process），即可为浸入式微影制程（immersion lithography）提供最好的反射控制管理能力。而浸入式微影制程是已获得45奈米及以下节点所接受的一项先进成像技术。