以高速异步静态随机存取内存的供货商硅成集成电路日前表示，自去年起开始积极发展的超低耗电SRAM系列。其中待命电流为2uA, 最低工作电压可达1.65V的4Mbit 静态随机存取内存(SRAM)已进入量产阶段。除了可大幅增加可携式产品的待命时间外，更可节省客户的设计空间。

硅成集成电路执行副总邱坤寿表示："随着手机从单纯的语音到日本I-mode的成功，具宽带上网功能的手机已是大势所趋，所以如何让产品在轻薄短小的同时再延长电池的使用时间一直是可携式产品制造商最关切的问题。"目前已成功进入量产阶段的硅成4Mbit 超低耗电SRAM（结构为：256Kx16/ 512K x 8）以六个晶体管的记忆晶胞技术设计再辅以台积电的先进CMOS 0.15微米制程制造。除了可大幅降低消耗的功率，让室温下的待命电流达到低于2uA以下，更可以1.65V最低工作电压与超小型的BGA包装进行供货。在速度上可达55奈秒，工作温度范围为-40度至+85度，适合客户的各种设计平台。

硅成集成电路执行副总邱坤寿进一步表示"此一4M低耗电静态随机存取内存系列除了可延长可携式产品的待命时间外，更可节省客户的设计空间。同时我们的8M超低耗电静态随机存取内存也即将于近期推出，硅成新发展的超低耗电静态随机存取内存产品系列将愈趋完整。"