联电积极布局内存市场，将与日本尔必达（Elpida）合作进行交互授权，由尔必达提供联电SOC内嵌DRAM所需的技术，联电则提供尔必达发展先进制程所需的低介电质铜导线（low-k/Cu）专利。联电也将是继力晶之后，另一个在台湾的尔必达合作伙伴。

目前标准型内存不需使用低介电铜导线技术，但未来在45奈米以下制程将会用到。在过去力晶与尔必达合作开发技术之后，尔必达取得联电的授权也将使力晶受惠，此外晶圆代工厂与DRAM厂交互授权的模式也是业界一大创举。未来力晶、尔必达透过联电的专利授权，对于DRAM先进制程的研发将有相当大的帮助。

低介电质铜导线技术可加快电流速度，在奈米制程线宽愈来愈窄的时候，对于技术提升有很大的帮助。目前铜制程相关技术仅台积电、联电等晶圆代工厂拥有。

此外，台积电也积极投入嵌入式DRAM（E-DRAM）技术开发，目前已进展到65奈米制程，并采取自主开发模式。