为不断满足新一代系统单晶片(SoC) 的严格设计目标，新思科技与台积公司合作，在台积公司最先进的 N2 制程中提供数位与客制化设计 EDA 流程。相较於N3E 制程，台积公司N2 制程采用奈米片(nanosheet)电晶体结构，在相同功耗下可提升速度达 15% ，或在相同速度下可减少30%的功率，同时还能提高晶片密度。新思科技对整体 EDA技术的大量投入让设计人员能够快速启动N2制程设计，不仅为SoC带来差异化同时也能缩短上市时程。

台积公司设计基础架构管理部负责人Dan Kochpatcharin表示：「台积公司与新思科技协助双方客户在台积公司最先进的 N2 制程中透过新思科技完整的EDA 解决方案，实现一流的设计结果。双方长期的合作帮助创新者在各式应用中满足或超越最严苛的产品设计目标；这些应用包括高效能运算、行动和人工智慧等。」

新思科技 EDA事业群策略与产品管理??总裁Sanjay Bali说道：「新思科技和台积公司持续推进半导体技术，在最新的 N2 制程上挑战设计物理的极限。在台积公司N2 制程中运用新思科技数位与客制化设计流程能让设计人员大大受益於台积公司N2制程的先进功能，并缩短上市时程。」

新思科技获认证的EDA和 IP 解决方案在台积公司3奈米制程技术的成功，建立了双方在N2上的合作基础，迄今已有数十家业界领先公司藉此成功实现投片(tape-out)。新思科技的客户可仰赖经认证的数位与客制化设计流程、新思科技基础IP和介面 IP以及新思科技晶片生命周期管理 (SLM) 的晶片内(in-chip)制程、电压和温度 (PVT) 监控 IP 来提升N3 设计。 而有意将 N4 和 N5 设计转移到 N3E 的设计人员则可利用新思科技 EDA 类比迁移流程，有效率地在不同制程节点中重复使用同一设计。