账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
加深研发力道 台积电期2017赶上英特尔
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2013年04月23日 星期二

浏览人次:【3313】

在晶圆的先进制程技术上,英特尔一直是全球领先的佼佼者。台积电身为全球晶圆代工的龙头,早对此耿耿于怀,也不断投资在先进制程技术的研发上。而近期台积电在新制程的掌握也有了突破,从20奈米跨入16奈米制程微缩时间将缩短一年,也就是3D晶体管架构的16奈米FinFET制程,将可于2015年开始量产。而台积电更扬言,将加快研发速度,以期在2017年全面赶上英特尔,让该公司真正成为名正言顺的全球第一。

BigPic:348x196
BigPic:348x196

事实上,台积电董事长张忠谋日前便曾宣布,该公司今年资本支出将提高至95~100亿美元,且为了因应客户需求,16奈米FinFET制程将提前一年量产。而台积电共同营运长蒋尚义则指出,英特尔在先进制程的实力无庸置疑。只不过英特尔积极抢进行动处理器市场,使得台积电许多客户都成了英特尔的竞争对手。为了因应这些客户的需要,台积电也加速先进制程的研发脚步,来提高客户的产品竞争力。

据了解,台积电将在2014年导入20奈米SoC制程量产,2015年导入16奈米FinFET制程量产,10奈米量产时间则将在16奈米量产后2年才会导入。换句话说,2017年台积电就将迈入10奈米制程,拉近与英特尔之间的距离。

關鍵字: 先进制程  台積電 
相关新闻
2025国际固态电路研讨会展科研实力 台湾21篇论文入选再创新高
新思科技与台积电合作 实现数兆级电晶体AI与多晶粒晶片设计
Ansys、台积电和微软合作 提升矽光子元件模拟分析速度达10倍
台积电扩大与Ansys合作 整合AI技术加速3D-IC设计
界先进和恩智浦取得核准成立VSMC合资公司 将兴建十二寸晶圆厂
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 挥别制程物理极限 半导体异质整合的创新与机遇
» 跨过半导体极限高墙 奈米片推动摩尔定律发展
» 未来无所不在的AI架构导向边缘和云端 逐步走向统一与可扩展
» 关於台积电的2奈米制程,我们该注意什麽?
» 灯塔工厂的关键技术与布局


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8C24ODXCYSTACUKG
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: [email protected]