据外电报导，日本东芝日前表示该公司将以分阶段施工的方式，于日本兴建两座12吋晶圆厂，以纾解资金过于庞大的压力；而两座晶圆厂的施工顺序，则是以产品需求的向来决定。

据彭博资讯（Bloomberg）报导，东芝计划在现有的大分及四日厂区内，各建造一座12吋晶圆厂，分别生产系统晶片（System LSI）及NAND型快闪记忆体。而由于预估建造一座12吋厂所需资金高达1,000亿～2,000亿日圆，除积极寻求在NAND型快闪记忆体上有合作关系的厂商共同出资，如SanDisk等，亦打算以分阶段施工的方式来进行晶圆厂兴建计画。

东芝在2002年4月正式退出DRAM市场后，系统晶片及NAND型快闪记忆体就成为该公司半导体事业的2大支柱。然面对数位家电用系统晶片上的英特尔（Intel）、松下电器，NAND型快闪记忆体方面的南韩三星电子等竞争对手，东芝为在激烈的竞争中胜出，才计画兴建高生产效率的12吋厂。

东芝表示目前晶圆价格仍高，故采用12吋晶圆所能达到削减成本的效果有限；预计到2004年后，晶圆价格将开始下跌，东芝也开始启用2座12吋厂。东芝预定在2002年底提出2座12吋厂的建造顺序等详细计画，目前暂定于2003年中开始动工；2004下半年投产。