晶圓表面處理技術供應商FSI International 宣佈，該公司的最新high-k薄膜蝕刻技術獲得美國專利商標局核發專利權。此一用在45奈米以下高階半導體製程的最新技術，強化了傳統介電質濕式蝕刻技術無法達到的high-k薄膜濕式蝕刻能力。

FSI表示，隨著IC業者持續開發45奈米技術節點電晶體，矽酸鉿（hafnium silicates）這類的high-k材料將會取代二氧化矽（SiO2）成為閘極介電質；在閘極結構形成後，從接觸區移除閘極介電質是產生電晶體一個重要的步驟，但是使用傳統用於SiO2的技術移除high-k薄膜既困難且沒效率；FSI研發的專利技術可讓IC製造廠商透過現有的FSI平台具備快速且高選擇性移除high-k材料薄膜的能力。

此一創新的蝕刻技術以稀釋氟成分解決方案處理接觸面的high-k薄膜，以達到預設的high-k薄膜蝕刻範圍﹔FSI並已經在總部的研發實驗室中，成功展示了此一高選擇性移除矽酸鉿的製程。該專利權讓FSI目前所擁有的美國IC表面處理IP有效專利權超過90個，而正在申請中的則有28個。

此一製程可建置在FSI的MAGELLAN Immersion Clean System 與 ZETA Spray Processing System表面處理系統上，這項技術的化學配方提供的矽酸鉿移除率最高每分鐘達80埃，而沈積二氧化四乙基正矽酸鹽（tetraethyl orthosilicate；TEOS）對矽酸鉿的蝕刻選擇性高達16:1。