台積電成功試產可同時支援類比與數位電路的32奈米製程技術。據了解，台積電已於美國華盛頓特區所舉行的國際電子元件大會（IEDM）中發表論文，並宣佈成功開發可同時支援類比及數位電路的32奈米製程技術，此外，台積電並成功以193nm浸潤式微影雙重曝影技術，成功試產32奈米的2Mb靜態隨機存取記憶體。在此同時，IBM也宣佈已經成功開發32奈米製程，並預計於2009年下半年量產。

台積電指出，32奈米新製程將提供更低耗電量及更高密度的記憶體競爭優勢，而多種元件尺寸也可滿足客戶在產品性能及效率最佳化方面的考量。台積電的低耗電新製程具備待機低耗電電晶體、類比及射頻功能、銅導線以及低介電係數的材料導線等優勢，非常適合用於生產可攜式產品所需的SoC晶片，另外台積電也針對客戶的不同應用需求，提供多種32奈米製程，包括數位、類比、射頻及高密度記憶體製程等。

目前荷蘭艾司摩爾（ASML）、日本Nikon及Canon等微影設備大廠，已將EUV列為193nm之後的主流技術，並停止157nm技術及設備研發工作，但因EUV設備價格偏高，因此介於193nm及EUV二製程世代之間的32奈米製程，也只能由193nm的浸潤式製程著手進行研發。