台積電與美商巨積公司(LSI)4日共同宣佈簽署一項合作協定，雙方將結合力量共同開發半導體尖端製造技術，並以發展0.13微米先進製程為初期合作目標。

根據台積電與LSI所簽署的這項合作發展協定，雙方將共同發展0.13微米製程技術，其中，LSI將利用台積電的0.13微米製程技術，來支援其客戶的系統單晶片(system-on-a-chip; SoC)產品設計，產品將利用二家公司世界級水準的製造能力進行生產。此外，二家公司亦有意共同開發新一代的製程技術，並以超越半導體產業技術藍圖為目標。

LSI全球營運執行副總經理Joe Zelayeta表示，透過這項合作協定，雙方優異的先進製程技術，搭配LSI的生產能力，不僅可進一步提升LSI的製程技術，鞏固其技術發展腳步，同時LSI將充份運用此一優勢，提供更佳的服務予其全球客戶。

台積電總經理曾繁城表示，該公司很高興能與全球系統單晶片領導廠商巨積公司合作，共同發展0.13微米先進製程技術。台積電已於去年十二月為多家客戶成功試產出0.13微米製程晶圓產品，而根據台積電與巨積公司之合作協定，雙方合作發展之技術，將更進一步延伸台積電的0.13微米核心標準(core)製程，同時台積電也將提供巨積公司更多的先進技術產能。