意法半導體（ST）宣佈在功率MOSFET晶片的性能方面取得巨大突破，MDmesh V使得ST新一代的650V MOSFET，採用緊湊型功率封裝，可將RDS（ON）降到0.079Ω以下。這些產品的應用是鎖定以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉換系統。

ST MDmesh V MOSFET

33A的STP42N65M5是ST首款的MDmesh V產品，採用TO-220封裝，額定導通電阻為0.079Ω。STx42N65M5全系列產品還提供其它的封裝選擇，包括表面貼裝D2PAK以及TO-220FP、I2PAK和TO-247 等封裝。目前已量產的STx16N65M5系列也是650V產品，額定RDS（ON）為0.299Ω，額定電流為12A。ST的MDmesh V 650V MOSFET產品藍圖還包括電流更大的產品，RDS（ON）低至0.022Ω的Max247封裝及0.038Ω的TO-247封裝。 這些產品預計在2009年3月上市。

MDmesh V為ST已成功的Multi-Drain Mesh技術的最新產品，透過改進晶體管的漏極架構，降低漏極源電壓降，在單位面積導通電阻RDS（ON）上表現優異。此項優點可降低這款產品的on-state損耗，同時還能保持很低的閘極電荷量（Qg），在高速轉換實現優異的效能，提供低‘RDS（ON） x Qg’的靈敏值（Figure of Merit,FOM）。新產品650V的擊穿電壓高於其他競爭者的600V產品，為研發工程師提供了一個十分寶貴的安全裕度（safety margin）。ST的MDmesh V MOSFET的另一項優點是關斷波形更加平滑，因為降低的EMI，使得閘極控制更加容易，且濾波設計更加簡單。

MDmesh V MOSFET的節能優勢和高功率密度將會為終端產品的節能帶來實質性提升，如︰筆記本電腦的電源轉換器、液晶顯示器及電視機、燈光穩壓器、電信設備、太陽能轉換器以及其它需要高壓功率因數校正或轉換模式的功率轉換等應用設備。