英特爾於週二（9/22）的舊金山IDF上，首度展示了全球第一款整合SARM可運作的22nm製程的測試晶片，並重申追求摩爾定律 (Moore’s law) 實現的目標。

英特爾總裁暨執行長歐德寧(Paul Otellini)於英特爾科技論壇中首度展示以22奈米製程技術所製作的晶圓。 BigPic:500x411

這款22nm測試晶片電路中，包括了22nm微處理器將使用的SRAM記憶體和邏輯線路。在SRAM陣列當中，運作的SRAM單元面積僅有0.108和0.092平方微米，此陣列共計有3億6400萬位元的容量。0.108平方微米的SRAM單元為低電壓運作進行優化，而0.092平方微米的單元則為高密度運作進行優化，它是目前已公布之可運作晶片電路中最小的單一SRAM單元。測試晶片內包含29億個電晶體，密度約為先前32nm世代的兩倍，而其面積僅有指甲般大小。

英特爾表示，22nm技術的實現，是英特爾延續摩爾定律的承諾，並致力於讓電晶體更小、每瓦效能更高，以及每個電晶體成本更低。目前英特爾已全面進入22nm技術開發狀態，並將依時程，把該公司的「tick- tock model」 (鐘擺發展模式)延伸到下一世代。

除了揭露22nm的技術外，此次IDF還展示了第三代high-k金屬閘極電晶體技術。