根據集邦科技全球DRAM產出統計，九月份512Mb DDR2佔全球DRAM總產出量比重已達35％，首度超越256Mb DDR的34％比重，所以若說DDR2已成為DRAM廠出貨主流產品其實並不為過。如今國內DRAM廠看第四季景氣還是樂觀，但來自韓國、日本、台灣三地的十二吋DRAM廠產能仍全速開出，第四季不論是DDR或DDR2，供給過剩的壓力將較第三季更大。

雖然市場認為三星、Hynix等韓國DRAM大廠會為了解決NAND快閃記憶體缺貨問題，全速將DRAM產能移往生產NAND晶片，但九月份各家DRAM廠產出開出後，卻發現DRAM及NAND晶片間幾乎沒有出現產能排擠效應。根據集邦科技統計，九月份全球DRAM產出量較八月份成長10％以上，達到6億2800萬顆256Mb約當顆粒，成長最多的地區就是來自於韓國，DRAM出貨量月成長率超過20％。

三星、Hynix第三季的確擴大NAND快閃記憶體產出量，但為了維持DRAM位元產出成長率及市佔率上，二家公司並不是單純只靠製程微縮增加產出，其實也著手提高十二吋廠投片量，如三星第六月才投產的十二吋廠Line14，Hynix五月才啟用的新十二吋廠M10等，很大部份的產能還是集中在DRAM產品上，所以韓國九月份DRAM產出大幅成長，其實並不太令人意外。

此外，現貨市場中晶片組缺貨嚴重，但合約市場中晶片組缺貨問題已獲紓解，九月份新增的DRAM產出又多來自於三星、Hynix、爾必達等三家業者，所以這些新產出也多以512MbDDR2規格為主。集邦科技九月份的統計中就顯示，512Mb DDR2佔了全球總產出的比重已達35％，不但超過256Mb DDR，也讓512Mb以上高容量DRAM產出比重逼近五成。