在超薄晶圓打薄的過程中，將面對的主要挑戰有以下幾點。首先是引起應力的廣泛性熱循環、熱膨脹係數（CTE）失配、機械研磨、金屬沉積過程等；再來是物品的化學抗性，包括光刻用溶液、金屬蝕刻化學品、一般清洗溶劑等。而物品的化學相容性則需注意包括金屬、EMC、聚醯亞胺等。

薄晶圓必須和臨時解鍵合材料鍵合以保持完整性，同時保證解鍵合過程不會太長或太難。

鐳射解鍵合是最先進的解鍵合技術之一，然而在過程中也會產生許多問題。接合材料可提供適當的黏著性，可接合並同時支撐兩個基材，以利晶圓堆供下游處理，而且保持與雷射剝離材料交互作用的能力，以便加工後在需要時選擇性剝離。玻璃載體上的晶圓塗有雷射剝離材料，該雷射剝離材料的光學密度可將雷射輻射限制在載體表面附近，進而防止雷射能量接觸元件晶圓。結合兩種精心設計的材料，可提供大幅減少晶圓彎曲的機械穩定性以及熱穩定性，因此能以背面製程進一步支撐晶圓堆。

BREWER SCIENCE指出，在先進封裝制程中，大部分晶圓應用皆可利用機械或雷射剝離技術；若為面板級製程（PLP），雷射剝離則是首選剝離技術。機械和雷射剝離兩種方法都有在室溫進行（相對於在高溫進行以軟化接合材料的熱滑動剝離）、為低應力技術，以及在剝離期間能夠支撐薄化元件晶圓/面板支撐等優點，在移除載體基材後可增加機械完整性。相較於機械剝離的每小時 20 個晶圓，雷射剝離的每小時 50 個晶圓具有較高生產能力。當元件基材剝離後，將需要清洗。可用的選項包括化學清潔，電漿清潔或剝離程序。

在整個過程中，薄晶圓必須和臨時解鍵合材料鍵合以保持完整性，同時保證解鍵合過程不會太長或太難，然而過程中有些要求必須被滿足。基本上，與機械或雷射剝離一起使用時，剝離材料有助於加速剝離過程。臨時接合技術的最終目標，是在下游製程完成時，從支持載體選擇性剝離。BREWER SCIENCE的剝離材料專為搭配接合材料運作，以在處理晶圓時提供機械和熱支持，並使晶圓堆在正確的介面處剝離。