隨半導體產業朝更先進製程發展之際，iST宜特材料分析(Material Analysis, MA)檢測技術再突破!宜特宣佈，TEM材料分析通過國際級客戶肯定，驗證技術達5奈米製程。

宜特以特殊TEM手法解析3D IC矽穿孔(TSV)製程應力分佈的成果。此成果將發表於2016 IEEE/IPFA研討會。

宜特近期不僅協助多間客戶在先進製程產品上完成TEM分析與驗證，其技術能量更深獲IEEE半導體元件故障分析領域權威組織IPFA（International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 積體電路失效分析論壇）肯定，連續數年通過大會審核，於期間發表最新研究成果。

宜特觀察發現，近年來，企業為了打造效能更高、功耗更低、體積更小的半導體元件以滿足現今智能產品之需求，各大廠在先進製程開發的腳步越來越快，已從前年20奈米、去年14奈米製程，陸續在今年往10奈米、7奈米製程進行量產準備；而多家半導體大廠，今年更已朝5奈米製程進行研發藍圖，因此帶動整個供應鏈的材料分析需求。

宜特表示，材料分析是宜特近年重要佈局項目。在產能方面，近三年，以倍增方式持續擴產；在技術方面，去年下半年材料分析技術達10奈米後，即陸續獲得重量級半導體客戶的委案。

宜特材料分析處處長 陳聲宇博士表示，5奈米製程是下一階段各半導體廠商的競逐場，宜特科技則在先進製程演進的過程，扮演最佳幕後推手，提供檢測驗證方案。目前已有國際級半導體客戶，朝5奈米製程邁進，宜特則維持24小時運作不間斷，以高端的設備規格與技術能量，完成客戶驗證分析需求。

陳聲宇進一步指出，然而，隨著摩爾定律在5奈米製程以下將面臨物理極限，業界也開始積極尋找微縮製程以外的解決方案，3D IC即為其中最受矚目的解決方案。此次在IPFA所發表的論文「先進TEM材料分析技術於3D IC矽穿孔(TSV)製程之應用」，即為針對3D IC製程中的分析需求，所提出的新穎分析手法。

陳聲宇說明，在3D IC製程中，熱應力的產生是一個很重要的議題，需精準的控制在可接受的程度內，否則將會影響產品的可靠度。宜特此次發表之論文，乃利用新穎的TEM分析技術，解析出3D IC製程結構的應力分佈，精確度可達數個奈米，將可協助客戶突破過往應力分析上的限制。