科勝訊系統公司(Conexant Systems, Inc.)宣佈該公司已完成進階矽鍺(SiGe)製程的開發工作，使用此種製程技術，將可大幅降低無線通訊系統、高速網路系統中半導體產品的電力需求。科勝訊系統目前在Newport Beach的高產量晶圓廠已開始利用矽鍺製程生產新型通訊半導體裝置，預計在今年中旬可將一系列產品付諸量產；再過約六個月，待矽鍺半導體產品上市之後，科勝訊系統將與IBM同時成為全球唯一具有量產規模SiGe BiCMOS半導體製程的兩家公司。

矽鍺製程技術被業界視為新一代通訊產品的關鍵技術，可讓通訊產品體積更小、效率更高，以及更省電。這種技術結合了矽與鍺兩者的電氣特性，可將線路切換速度(circuit switching speed)提升至原來的2~4倍，同時並保有傳統矽晶技術的成本優勢與整合效益。科勝訊系統的矽鍺製程目前已首先應用於其0.35微米高產量雙極互補金屬氧化物半導體(BiCMOS)生產技術，此外該製程經過最佳化後亦可生產全世界耗電量最低的矽鍺元件，以應用於目前的高頻率無線通訊與高速網路產品。

科勝訊系統初期將使用矽鍺製程技術生產高度整合、低耗電量的RF積體電路(IC)，供無線手機及進階無線通訊終端機製造使用。另外科勝訊系統也將推出更高頻率的矽鍺製程版本，並將於今年中旬付諸量產，以生產OC-192同步光纖網路(SONET)元件，應用於目前全球Internet架構核心的高速光纖網路配備中。