据EE Times网站报导，在国际实体设计论坛（ISPD '04）中，美国乔治亚技术学院微电子研究中心（Microelectronics Research Center at the Georgia Institute of Technology）主任James Meindl发表专题演讲，介绍目前该中心在电气、光学和热互连领域的最新研究；Meindl在演讲中指出，「互连问题」正已经对下一代芯片的时序、功率和成本造成威胁。

该报导引述Meindl看法表示，MOSFET在0.1微米制程中，内部的开关延迟为5皮秒，而RC反应时间为每1mm就达30皮秒。这种6比1的差距将演变为100比1的差距。因此互连已成为延迟、能量耗散及芯片光罩层数的重点决定因素。

Meindl在演讲中举许多来自Interconnect Focus Center的解决方案做为说明案例，这是总部设在该乔治亚技术学院、由DARPA资助的计划。该计划包含12所大学、60个系和133个研究生。

Meindl指出，该计划有两大驱动力。其中之一是每秒40 Terabit运算和通讯芯片，光互连超过1000讯息信道；另一个是整合多种制程技术的低能量、混合讯号无线节点。