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WD将硬盘读写密度提高至每英寸520GB
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2007年10月26日 星期五

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外电消息报导,硬盘制造商威腾电子(WD)日前在东京垂直磁记录国际会议上宣布,已将硬盘的磁录密度提高至每英寸520GB,为业界最高在连续介质上的磁记录密度。

在此之前,WD利用既有的垂直读写技术和隧道磁阻(TuMR)磁头技术,将记录密度提高至520 Gb/平方英寸,而新发表的技术将使3.5寸硬盘的单碟容量提高到640GB,单一硬盘的容量则可提高至3TB。依照目前40%的密度成长速度来看,此一容量的硬盘可望在2010年上市。

WD技术总监Hossein Moghadam表示,这个里程碑是MgO reader技术应用的成果,这也代表垂直读写技术和隧道磁阻(TuMR)磁头技术在未来的发展性。

Moghadam并表示,WD是最先提供2.5吋250GB容量的硬盘制造商。由于在技术持续加码,WD将能继续提供高容量、高稳定性的产品。

關鍵字: WD  Hossein Moghadam  磁式儲存設備 
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