台积电成功试产可同时支持模拟与数字电路的32奈米制程技术。据了解，台积电已于美国华盛顿特区所举行的国际电子组件大会（IEDM）中发表论文，并宣布成功开发可同时支持模拟及数字电路的32奈米制程技术，此外，台积电并成功以193nm浸润式微影双重曝影技术，成功试产32奈米的2Mb静态随机存取内存。在此同时，IBM也宣布已经成功开发32奈米制程，并预计于2009年下半年量产。

台积电指出，32奈米新制程将提供更低耗电量及更高密度的内存竞争优势，而多种组件尺寸也可满足客户在产品性能及效率优化方面的考虑。台积电的低耗电新制程具备待机低耗电晶体管、模拟及射频功能、铜导线以及低介电系数的材料导线等优势，非常适合用于生产可携式产品所需的SoC芯片，另外台积电也针对客户的不同应用需求，提供多种32奈米制程，包括数字、模拟、射频及高密度内存制程等。

目前荷兰艾司摩尔（ASML）、日本Nikon及Canon等微影设备大厂，已将EUV列为193nm之后的主流技术，并停止157nm技术及设备研发工作，但因EUV设备价格偏高，因此介于193nm及EUV二制程世代之间的32奈米制程，也只能由193nm的浸润式制程着手进行研发。