根据外电消息，IBM近日对外宣布采用SiGe（矽锗）制程，研发出新型高速电晶体，IBM表示，采用新型SiGe材料的电晶体，其传输频率达350GHz，比现代晶片速度快三倍，预计2005 ～2006年投入量产。

IBM表示，IBM的SiGe电晶体能使用于新一代通讯晶片，工作频率超过150GHz，可应用于如汽车雷达碰撞系统、高性能区域网路及其它产品；SiGe电晶体超越其它化合物半导体，如砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）。

另外，今年9月Big Bear Networks宣布，已采用IBM之SiGe技术，将其用于光电讯号处理系列异频收发器和组件产品生产线，SiGe产品预计今年下半年出货。

目前也有其它厂商，致力于研发新的SiGe技术。上个月摩托罗拉（Motorola）半导体产品部宣布，就其无线应用中的SiGe技术做了改进，并且推出采用第一代0.35微米SiGe产品，而0.18微米制程将于2003年年初推出。