海力士半导体（Hynix Semiconductor）成功开发出24层堆栈、每层厚度为25μm的NAND型闪存，总厚度为1.4mm的MCP多芯片封装。这是在目前的MCP产品之中，堆栈层数最多的一次。

海力士是于2007年5月开发出了层迭20层芯片的MCP。这次新开发的堆栈技术重点如下：1.使下层芯片可以支撑上层芯片的分层堆栈技术；2.可达成分层堆栈的LSI内部电路重布线技术；3.使堆栈更加容易的重布线优化技术；4.将重布线后的半导体芯片厚度降至A4纸1/4的博型化技术；5.使用WBL（wafer backside lamination）胶带，以减少芯片间连接组件的技术。

透过这些新技术，若以16Gbit（2GB）的NAND型闪存来制造MCP产品，将可以制造出容量高达384Gbit（48GB）的内存。而对于高容量的需求来说，这种多层堆栈封装技术未来也将更行重要。