恒忆(Numonyx)日前发表了业界首款采用45奈米制程的MLC NOR闪存样本。该技术不但为客户提供高度的产品升级弹性和可靠度外，更大幅提高恒忆内存产品效能。

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这款45奈米，容量达1 GB的单石(monolithic)组件，是基于Numonyx StrataFlash 内存架构，与恒忆目前量产的65奈米 NOR闪存芯片接脚兼容。产品架构的兼容性和升级弹性可协助手机OEM厂大幅降低开发成本，延长现有产品平台的生命周期，利用大容量储存和速度更快的内存立即执行 (execute-in-place)功能，加速新产品上市时程。与上一代产品相比，新技术将数据写入速度可提高 50% 。

此外，新产品采用新的自对准接触(SAC)，不仅维持与过去产品的兼容性并兼顾高度可靠性和产品质量，同时使恒忆NOR闪存产品得以不断升级。

恒忆技术长Ed Doller指出，手机内存市场还有很大的成长空间，且市场对高容量、低成本的非挥发性NOR闪存的需求仍是持续成长。恒忆克服了技术升级的主要限制，透过新制程技术的开发，以最先进的 45 奈米技术制造第 7 代MLC NOR闪存，率先提供客户最佳的成本与效能优势。

目前恒忆正在针对特定的容量与数量进行新产品抽样，并预计在今年推出采用这项技术的产品，最快将在2010年开始量产。同时恒忆更计划将此项技术应用至所有的嵌入式闪存解决方案，把升级弹性架构的效能优势、稳定性和可靠性扩展到主要嵌入式市场。