账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
西门子与台积电合作协助客户实现最隹化设计
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2023年10月12日 星期四

浏览人次:【1867】

西门子数位化工业软体宣布与台积电深化合作,展开一系列新技术认证与协作,多项西门子 EDA 产品成功获得台积电的最新制程技术认证。

西门子与台积电携手帮助客户实现最隹设计
西门子与台积电携手帮助客户实现最隹设计

台积电设计基础架构管理部门负责人 Dan Kochpatcharin 表示:「台积电与包括西门子在?的设计生态系统夥伴携手合作,为客户提供经过验证的设计解决方案,充分发挥台积电先进制程技术的强大效能和功耗优势,帮助客户持续实现技术创新。」

Calibre 获得台积电的 N2 制程认证

用於积体电路(IC)验证 sign-off的 Calibre nmPlatform 工具已成功获得台积电 N2 制程认证,可为早期采用台积电 N2 制程的厂商提供全面支援。获得认证的 Calibre 工具包括 Calibre nmDRC 软体、Calibre YieldEnhancer 软体、Calibre PERC 软体和 Calibre nmLVS 软体。

台积电同时对用於电晶体层级电迁移(EM)与 IR 压降(IR sign-off)的西门子 mPower 类比软体进行 N4P 制程认证,双方共同客户现可以运用 mPower 独有的 EM/IR sign-off 解决方案进行下一代的类比或射频(RF)设计。

此外,台积电的 N4P、N3E 和 N2 客制化设计叁考流程(CDRF),如今能和西门子的 Solido Design Environment 软体搭配运作,在高 sigma 下进行进阶变异感知验证。为奈米级类比、RF、混合式讯号、记忆体和客制化数位电路提供电路验证的西门子 Analog FastSPICE 平台,也已获得台积电的 N5A、N3E 和 N2 先进制程认证。作?台积电 N4P、N3E 和 N2 制程 CDRF 流程的一部分,Analog FastSPICE 平台现可支援台积电的可靠性感知模拟技术,解决 IC 老化和即时自体发热效应,并提供其他进阶的可靠性功能。

Aprisa 布局与布线解决方案获得 N3 认证

西门子 Aprisa 布局与布线解决方案通过台积电 N3E 制程认证,进一步加强西门子在数位实施领域的投资承诺。Aprisa 提供易用性,可帮助客户更快迁移至 N3E 节点。

西门子数位化工业软体 IC-EDA 执行??总裁 Joe Sawicki 表示:「台积电的创新速度令人惊叹,我们很高兴能与台积电建立长期的合作夥伴关系,针对台积电最新的制程持续最隹化我们的 EDA 解决方案,让双方共同客户从中受益,满足客户快速变化的市场和业务需求。」

台积电认证西门子的 3D IC 解决方案

数款西门子 3D IC 解决方案也在台积电 3DFabric 技术认证方面取得进展。台积电已对 西门子 Calibre 3DSTACK 软体进行了 3Dblox 2.0 认证,用於实体分析与电路验证,此认证包括支援小晶片间的 DRC 和 LVS 检查,可满足台积电 3DFabric 技术的相关要求。

此外,台积电还认证了一系列 Tessent 3D IC 解决方案,包括 Tessent 阶层式 DFT、具有增强型 TAP(test access ports - 符合 IEEE 1838 标准)的 Tessent Multi-die,以及使用 Streaming Scan Network(SSN)和 IEEE 1687 IJTAG 网路技术的原生 FPP (Flexible parallel port)支援。双方还按照台积电 3Dblox 标准投资构建 3D IC 测试生态系统,包括已知合格晶粒(KGD)??路测试,以及利用 BMAP 及 PMAP 标准进行实体感知的晶粒间故障侦测与诊断。

關鍵字: EDA  先进制程  台積電  西門子 
相关新闻
2025国际固态电路研讨会展科研实力 台湾21篇论文入选再创新高
势流科技2024 Simcenter Taiwan User Conference登场 西门子高层分享数位化创新趋势
新思科技与台积电合作 实现数兆级电晶体AI与多晶粒晶片设计
Ansys、台积电和微软合作 提升矽光子元件模拟分析速度达10倍
台积电扩大与Ansys合作 整合AI技术加速3D-IC设计
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» ChipLink工具指南:PCIe® 交换机除错的好帮手
» 创新光科技提升汽车外饰灯照明度
» 以模拟工具提高氢生产燃料电池使用率
» 掌握石墨回收与替代 化解电池断链危机
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BSDO0OZOSTACUKO
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: [email protected]