TrendForce记忆体储存研究（DRAMeXchange）指出，受库存过高影响，DRAM第一季合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%。然而在价格加速下跌的状态下，并未刺激需求回温，交易仍显清淡，预期DRAM均价在库存尚未去化完成影响下，跌势恐将持续至第三季。

根据DRAMeXchange调查，累积在DRAM供应商的库存水位在第一季底普遍已经超过六周 (含wafer bank)，而买方的库存水位虽受到不同产品别的影响略有增减，但平均至少达五周，在伺服器以及PC客户端甚至超过七周的水位。

进入第二季，受惠於1Ynm制程贡献，供给位元仍持续成长，在极力消化库存的考量下，DRAM供应商普遍采取持续大幅降价的策略以刺激销售；与第一季相似，跌幅最大的产品别为PC与伺服器记忆体，跌幅约两成，而行动式记忆体受惠於新机潮的拉货动能得以跌幅较小，约10~15%，预估DRAM均价在第二季将持续下跌近两成水位。

至於今年下半年跌幅是否有效收敛，则取决於需求端的回温以及第二季底库存去化的成效。DRAMeXchange分析，2019年各产品的DRAM平均搭载容量成长表现将不若去年，因此，终端需求的回温扮演着DRAM景气是否落底的关键因素。单纯就供需的预测来看，上半年供过於求的状况远高过下半年，预期价格跌幅在今年第三季与第四季可??逐渐收敛。

观察DRAM各应用别今年的价格走势，由於库存水位较高的关系，自去年第四季以来，以标准型记忆体与伺服器记忆体的跌幅最为明显。以PC需求面来说，今年缺乏刺激出货量成长的因素，再加上intel CPU缺货状况在中低阶机种仍未缓解，使得出货不振的状况在上半年特别显着。以主流标准型记忆体模组8GB解决方案来看，第一季度的价格已经下滑近三成，最低价已落在近40美元，展??第二季，均价持续下探35美元，年底恐怕要挑战30美元关卡。

伺服器经历连续两年的需求高峰後，第一季由於库存偏高，加上进入传统OEM的淡季，备货动能见到显着衰退，虽然三月开始，部分北美资料中心业者开始陆续洽单，但整体采购力道仍未明显复苏；再者，现阶段供需双方普遍库存偏高，在既有库存去化与需求动能恢复前，预估伺服器记忆体价格将持续走跌，DRAMeXchange预估，第二季仍将有两成左右的跌幅，第三与第四季也会维持接近一成左右的降价空间。

在行动记忆体方面，第一季受到智慧型手机市场需求不旺，生产总量较去年同期衰退逾10%的影响，行动记忆体供应商库存无法有效去化，导致价格持续下探，discrete以及eMCP产品平均跌幅接近2成，市场报价混乱。展??第二季以及第三季，除了受惠Android / iPhone双阵营旗舰新机备料带动单机搭载容量提升外，也同时受惠传统市场旺季，整体需求将转趋热络，预估合约价跌幅将较第一季收敛，不过考量今年智慧型手机总生产数量将呈现负成长，中、低阶手机平均搭载容量成长有限，第二、三季的合约价格依旧难以止跌。

而就利基型记忆体价格走势来看，农历假期过後，中国有部分机上盒、网通标案订单出现带动小量拉货需求，然一次性标案结束後，整体需求仍然疲软。DDR3供给仍高於需求的情况下，预期今年第二季与三季利基型记忆体价格仍将分别走跌15%与10%。