工研院电子所继日前与国内DRAM大厂力晶、茂德、华邦与南亚等共组「新世代相变化内存」技术研发联盟后，近日则再宣布DRAM技术获得关键性突破。工研院电子所成功研发出以高介电系数（high-k）材料为主的金属－绝缘层－金属（Metal-Insulator-Metal；MIM）电容结构，可让制程技术延伸至70奈米世代，有助于国内DRAM厂跨入奈米世代时，得以保有技术上的竞争力。