英商剑桥氮化??元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家专注於研发高效能氮化??（GaN）功率元件的半导体公司，致力於打造更环保的电子元件。近日与台湾的电力电子系统整合方案供应商群光电能（Chicony Power Technology）、英国剑桥大学技术服务部（CUTS）签署一项三方协议，将共同合作开发基於GaN技术的先进、高效、高功率密度变压器和资料中心电源产品。

CGD、群光电能与剑桥大学技术服务部（CUTS）携手合作，结合系统和应用、研究和装置方面的专业知识，打造创新、高效能并结合氮化??（GaN）技术的笔记型电脑和资料中心电源产品。

群光电能专注於为笔记型电脑、桌上型电脑、游戏机、以及伺服器/云端解决方案等各种应用开发电源供应器和变压器。剑桥大学高电压微电子与感测器（HVMS）小组负责人Florin Udrea 教授将代表CUTS担任首席顾问。剑桥大学的HVMS小组在功率装置设计、TCAD模拟及功率装置表现方面拥有长达25年的丰富经验。此次三方合作将致力於推进一项名为「采用先进GaN解决方案的创新低功率和高功率SMPS（切换模式电源供应器）」的技术专案。

CGD透过执行长Giorgia Longobardi和技术长Florin Udrea与剑桥大学建立长期稳固的联系，Florin Udrea至今仍然是HVMS小组的负责人。群光电能在技术创新方面处於SMPS领域的全球领先地位，而剑桥大学的HVMS小组以其在功率半导体装置方面的研究和创新而闻名。本次合作代表着一个重要的GaN生态系统诞生，该生态系统将汇聚系统和应用、研究和装置等各方面的专业知识。这项专案预计将为笔记型电脑提供高效、高密度变压器的SMPS原型，同时也将提供适用於资料中心和AI伺服器应用的??金牌+高效率/高功率密度（> 100W/立方英寸）CRPS和OCP机架（3k至6kW）的电源供应装置。

CGD执行长Giorgia Longobardi表示：「群光电能为全球SMPS制造商之一，因此这份协议代表着CGD为我们的客户和整个社会提供高效功率装置技术历程中一个令人难以置信的里程碑。藉由结合我们的业务和剑桥大学HVMS小组的优势，将加速高能量密度电源解决方案在各种广泛应用中的开发和普及。」群光电能总经理曾国华则表示：「群光电能期待与CGD和HVMS合作，因为他们在GaN方面拥有丰富的专业知识。CGD已交付第二代ICeGaN系列产品，该系列在耐用度和易用性方面表现非常优异。」

CGD近期推出采用ICeGaN技术的的第二个650V GaN HEMT系列产品--H2系列。这款 ICeGaN H2系列采用CGD独特的智慧闸极介面，几??消除一般E-mode GaN元件的各种缺陷，显着提升耐压性能，提供更高的抗杂讯??值，并增强dV/dt杂讯抑制和ESD保护效果。新型650V H2 ICeGaN电晶体可以轻松使用市售的工业闸极驱动器来驱动。此外，ICeGaN H2系列的Q_G比矽基零件低10倍，Q_OSS则低5倍。这将有助提高切换频率，减少切换损耗，进而缩小电源供应器的尺寸和重量。