台积电二十二日指出，该公司位于新竹科学园区的全规模十二吋晶圆厂，缔造了业界新纪录，率先以0.13微米全铜制程技术产出台积公司的SRAM测试芯片，并且已达到与相同制程八吋晶圆相当的高良率，再次成功地验证十二吋晶圆制造技术良率已达到生产水平。

台积电晶圆十二厂系业界第一座具备0.13微米十二吋晶圆生产技术的全规模十二吋晶圆厂。目前，已有一家客户的SRAM产品于晶圆十二厂开始投片生产。此外，也有多家客户已经排定时程，将利用晶圆十二厂的制造服务来生产其先进的0.13微米产品。各家客户的产品预计将于2002年第一季起陆续完成其产品质量相关认证。

台积电表示，台积电不仅自晶圆六厂的十二吋试产线成功地移转0.13微米全铜制程技术，更领先业界，证明其0.13微米十二吋晶圆制造技术的能力及良率已与八吋晶圆相当。此项能力及服务，可以满足客户先进产品对0.13微米的十二吋制程技术的需求，同时将可更进一步提升客户的竞争优势。

台积公司晶圆十二厂甫于今年8月份使用0.15微米十二吋晶圆制程技术成功试产出测试芯片及客户产品。如今，又迅速于2个月后成功验证0.13微米十二吋晶圆制造技术的高良率水平，再次彰显台积公司为客户提供最先进制程技术及服务的决心。