默克今日在SEMICON Taiwan 2020分享半导体科技趋势与技术演进。默克在电子材料领域具百年根基，并拥有能推进下世代制程技术、晶片与应用领域之材料解决方案实力。继去年宣布并购慧盛先进科技和Intermolecular公司後，默克俨然成为业内唯一完整涉略在前段与後段制程中的7大关键步骤的公司，包括掺杂、图形化、沉积、平面化、蚀刻与清洗、以及封装技术。

左起台湾默克董事长谢志宏、默克薄膜科技事业全球业务总监兼台湾半导体事业体总经理庄镇远，默克半导体事业体全球薄膜科技事业资深??总裁Suresh Rajaraman

新冠肺炎疫情对全球人类健康与经济发展带来莫大的冲击，但同时也带动商机，特别是电子科技领域。疫情加速了数位转型的提前到来，与日俱增的线上活动如居家办公、远距教学需求也带来可观的数据量，因而带动相关科技如5G通讯 (122% CAGR)以及AI 科技(33% CAGR)的强劲成长。

现行的EUV极紫光微型化技术主要应用於先进7奈米制程，就是透过以EUV为主的单次图形化技术来创造更小的晶片体积。但当迈向5奈米前进时，则需利用其他解决方案如双重图形化(double patterning)EUV和High-NA EUV技术来实现。然而这些制程复杂又昂贵，仍需克服许多挑战。除此之外，定向自组装技术 (directed self-assembly, DSA)证实是迈向5奈米技术的另一项既聪明又符合成本效益需求的选择。默克正积极布局以上下世代制程所需之创新材料科技，以协助突破微型化与图形化制程中的关键瓶颈。

电晶体微缩化之所以越来越昂贵，是因为业界习惯以「由上而下」形式开发更小体积的晶片。然而要延续摩尔定律，还能采取「由下而上」的新作法。默克是「由下而上」方法的材料专家，透过「聪明」材料解决方案，能缩短开发时间、降低成本和减少结构复杂性。「由下而上」方法包含多种尖端技术的组合，从自对准型图形化技术 (self-aligned patterning)到自限制型技术(self-limiting process)，如原子层沉积技术(atomic layer deposition, ALD)和定向自组装技术 (DSA)。默克在上述技术均有投入研发，期待能带来简化制程、提升良率、节省成本等效益。

晶片设计以快速且多变的方式进展。未来发展期程不仅趋向微型化，还朝向更复杂的结构进行。默克致力於发展解决方案，以克服奈米级的微缩化及3D结构所带来的挑战，如微型化制程与填洞步骤。因此，挑选适合的沉积技术是实现新型晶片结构的关键。现阶段所有许多类型的技术应用於氧化矽填洞技术，包括旋涂式介电(SOD)、流动式化学气象沉积(FCVD)、原子层沉积、以及化学气象沉积技术。为了优化晶片效能，默克期待能结合以上技术，提供最具协同效益的整合性解决方案供客户使用。

根据SEMI，台湾已连续10年称霸全球材料消费市场，2019年总金额达113亿美元。因此，默克将台湾视为重要策略市场及技术发展重镇，特别是在奈米制程扮演关键角色的沉积材料技术。

台湾默克集团董事长谢志宏表示，默克已拟定长期投资计画，目标是建立与提升默克位於南科的高雄厂之相关核心能力。此扩建计画将增加在地化创新与生产技术、确保安全营运与卓越供应，并透过与客户的更紧密合作与缩短沟通时间，加速半导体客户的创新研发步伐。这项投资计画已於2020年初启动，预计将建置新厂房，以容纳更多尖端研发与生产设备。