盛美半导体设备（上海）股份有限公司宣布其为Ultra C pr设备拓展了金属剥离（MLO）应用，以支援功率半导体制造和晶圆级封装（WLP）应用。MLO制程是一种形成晶圆表面图案的方法，省去了蚀刻制程步骤，可降低成本，缩短制程流程，并减少高温化学品用量。公司还宣布，首款支援MLO的设备已经通过验证，并被中国一家功率半导体制造商投入量产。

盛美上海董事长王晖博士表示，我们致力於加强公司多元化产品的构建，并继续抓住机会拓展除清洗以外的应用领域。我们的Ultra C pr设备光刻胶剥离制程已获客户广泛认可，基於此制程，现又进一步拓展了在MLO制程中的应用，能够使光刻胶外金属层更易剥除，并去除其他多馀的金属或残留物。很高兴首套应用于MLO制程的Ultra C pr设备能成功交付，并在客户端生产线上验证成功。

盛美上海的Ultra C pr设备将槽式去胶浸泡模组与单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离制程。该设备将不同单片清洗腔分别配置去胶功能和清洗功能，并优化了腔体的结构，使之易於拆卸、清洗、维护，解决了金属剥离制程中残留物累积的问题。该制程也可选配盛美自研的SAPS兆声波清洗技术，以进一步提高晶圆清洁效果。