高速内存架构技术授权公司Rambus发表其创新行动内存（Mobile Memory Initiative）技术。这项技术开发计划聚焦于高带宽、低功耗的内存技术，目标为在同等级最佳能源效率下，达到4.3 Gbps的数据传输率。此效能可协助设计人员透过单一行动DRAM装置，实现每秒超过17 Gigabytes的内存带宽。这些技术推动的内存架构将可符合新一代智能型手机、小笔电、可携式游戏机和可携式媒体产品等应用需求。Rambus也于DesignCon 2009展场上以硅测试载具（silicon test vehicle）展示此创新行动内存技术。

Rambus结合其高带宽的专业能力和高电源效率的讯号技术，为创新行动内存开发关键性的新特色，例如：极低摆幅差动讯号—结合差动架构中稳固的讯号质量和创新的电路技术，大幅降低主动功率消耗；FlexClocking架构—为一频率前送（clock-forwarded）和频率分配（clock-distributed）拓朴 ，可实现高速运作和简化的DRAM接口，以及进阶电源状态管理—搭配FlexClocking架构，可提供省电模式之间的快速转换时间，并可在不同使用模式下达到电源效率最适化的目标。