随着生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能记忆体的需求，Lam Research科林研发推出第三代低温介电层蚀刻技术Lam Cryo 3.0，已经过生产验证，扩大在3D NAND快闪记忆体蚀刻领域的地位。Lam Cryo 3.0 为未来先进 3D NAND 的制造提供了至关重要的蚀刻能力。Lam Cryo 3.0 利用超低温、高功率局限电浆反应器技术和创新的表面化学制程，以业界领先的精度和轮廓控制进行蚀刻。

Lam Cryo 3.0利用超低温、高功率局限电浆反应器技术和创新的表面化学制程，以精度和控制来蚀刻深宽比50倍以上的储存通道，实现小於0.1%的蚀刻轮廓误差。

迄今3D NAND主要透过储存单元的垂直层堆叠取得进展，这是透过蚀刻深而窄的HAR储存通道实现的。蚀刻轮廓的极小原子级误差可能会对晶片的电效能产生负面影响，并可能影响良率。Lam Cryo 3.0以埃米级精度建立高深宽比（HAR）特徵，蚀刻速率是传统介电层制程的两倍以上，可解决上述提及和其他微缩方面的蚀刻挑战。

如今在NAND生产中使用的超过7,500个科林研发HAR介电层蚀刻腔体中，已有近1,000个使用低温蚀刻技术。Lam Cryo 3.0利用独特的高功率局限电浆反应器、制程改善和远低於-0oC的温度，从而利用新型蚀刻化学制程。与科林研发最新的Vantex介电层系统的可扩展脉冲电浆技术结合时，蚀刻深度和轮廓控制显着增加。使用Lam Cryo 3.0技术，3D NAND制造商可以蚀刻深度高达10微米的储存通道，从顶部到底部的关键尺寸误差小於0.1%。