爲了突破半导体性能与集积度的极限，欧盟委员会决定对欧洲共同项目“NANOCMOS”提供资金援助。该项目将致力于材料、制程、组件及布线等领域的技术突破。

据日经BP社消息，目前参加该项目的企业除欧洲三大半导体公司 - 德国英飞凌科技（Infineon Technologies）、荷兰飞利浦电子、意法半导体之外，还有法国原子能部电子技术信息研究所（CEA Leti）、比利时IMEC、德国弗劳恩霍夫协会（FhG）旗下的三个研究所、法国国立科学研究中心（CNRS）旗下的八个研究所、德国独开姆尼斯工科大学的研究所。此外，法国Ion Beam Services、德国ISILTEC、比利时Magwel公司也参加了这一项目。负责项目管理业务的是法国ACIES Europe。

NANOCMOS项目第一阶段将耗时27个月，并将在2005年对在逻辑LSI技术节点上采用45nm（相当于hp65）制程的可行性进行论证。除欧盟委员会赞助2400万欧元之外，各项目成员也将进行研究投资以实现项目目标。

第二阶段于2006年开始，将对实现32nm及22nm制程的可行性进行验证。项目成员计划向欧洲的研究组织--MEDEA+提议从2006年开始在300mm晶圆生産设备中采用45nm技术节点并进行评估。从目前来看，可能会选择摩托罗拉、飞利浦、意法半导体三公司共同投资的法国Crolles第二工厂。