近日工研院电子所举办第一届矽锗研讨会，会中来自国内外等学者专家，针对矽锗技术现况提出论文发表。工研院电子所所长徐爵民表示，进入奈米阶段，由于制程、元件特性等物理限制，半导体业者皆寻思突破瓶颈的方法；而矽锗与矽晶片制程相容，可利用矽锗与矽之间的异质介面、晶格不匹配等特性，以及磊晶技术的突破，目前在多项电子元件均有显著的突破发展。

根据工研院资料显示，自1998年矽锗IBM宣布商业化量产矽锗晶片后，现阶段虽然种类不多量亦少，IC Insights预估釸锗IC之市场可由2000年的120百万美元，快速成长至2005年的2100百万美元。

矽锗技术被视为半导体产​​业另一项革命，由于矽锗技术具优异的高频特性，易与CMOS整合成BiCMOS，是最佳射频晶片材料的选择。釸锗最大的优势，在于与其他矽制程之IC拥有高度的整合性，使铭锗RF IC可与Baseband IC结合，进而达到降低成本、缩小体积的需求。矽锗更可涵盖到更高频的单晶化微波电路、高速类比及数位混合式IC上，应用范围较矽更广范。