为因应无线充电和USB Type C客户之需求，力旺电子宣布其嵌入式可多次编写记忆体矽智财NeoMTP已於TowerJazz 0.18um BCD 制程平台完成可靠度验证，即日起可供使用，力旺在专攻电源管理应用的BCD制程又完成一重大布局。

除了NeoMTP外，力旺也宣布近日会与TowerJazz合作，在65nm 5V RF CMOS制程开发可一次编写记忆体矽智财NeoBit设计，以满足RF和5G等通讯应用之需求。

力旺向来是电源管理IC的嵌入式非挥发性记忆体(embedded Non-volatile Memory)矽智财龙头。为因应无线充电和Type C客户的需求，力旺已陆续在全球各大晶圆厂BCD制程建构其eNVM矽智财解决方案。

此次力旺在TowerJazz 0.18um 1.8V/5V BCD制程通过验证的NeoMTP矽智财有几项重要技术突破，包括更宽广的操作电压区间、车规等级的耐热性，以及记忆体在反覆编写1,000次情况下还能维持10年以上的资料保留时间。这些突破都有助IC设计厂达到车规的高温、高耐受度要求。

力旺电子业务发展??总经理何明洲表示，力旺矽智财向来是电源管理业界的第一选择，我们最清楚、也最有能力满足无线充电和Type C客户的需求。他强调，这次TowerJazz BCD平台验证的NeoMTP矽智财有不少技术突破，可让使用的客户在无线充电和TypeC等快速成长的市场享有明显的竞争优势。

IC设计厂商使用NeoMTP矽智财不仅可延长产品生命周期，而且可扩大产品之应用范围。以无线充电器为例，NeoMTP允许频繁修改原先内设之电源开关顺序、输出电流及温度控制等规格叁数；此外，NeoMTP也可以让USB Type C进行多次软体及产品功能更新。

力旺的NeoMTP是业界最具成本效益的可多次编写eNVM解决方案，此方案可达到车用等应用的耐久度要求，成本却远低於嵌入式快闪记忆体。此外，也有愈来愈多IC设计公司基於效能和安全的考量，改用NeoMTP取代外挂式EEPROM。

力旺此次於TowerJazz BCD 制程验证的NeoMTP矽智财可在车规要求的温度区间(-40。C~150。C)编写达1,000次，同时可在125。的高温下维持10年以上的资料保存时间。此外，这项矽智财还扩大操作电压区间至2.6V-5.5V，并有低功耗、高速读取等功能。