日本经济新闻报导，为缩短与三星电子与东芝之间的距离，日本半导体大厂瑞萨科技（Renesas）表示，将追加投资330亿日圆（约3亿美元），扩充闪存（Flash）产能。瑞萨2003年度设备投资预算为900亿日圆，此为该公司二度追加投资计划，预计全年度设备投资额已累积至1300亿日圆（约为12亿美元）。

该报导指出，目前瑞萨的12吋晶圆厂Trecenti月产能约为9000片，其中三分之一用来生产AG-AND型闪存，瑞萨预定在2004年秋季前，将Trecenti厂月产能提升为1.2万片，扩增部分将全数用来生产AG-AND型闪存。该厂预定在2004年3月设备进厂，并开始生产1G AG-AND闪存，同年10月再开始量产4G产品。

瑞萨于2003年11月与力晶半导体宣布合作，部分产能委由力晶生产，但为因应市场需求，瑞萨自身亦将扩大产能，目标在三星、东芝主导的NAND／AND型闪存市场攻得20％市占率。