据网站Semireporter报导，于2002年秋季宣布合作研发先近半导体制程的IBM与特许半导体（Chartered），将于近期对外发表双方在90奈米制程上的研发成果。先前曾有业界消息传出，IBM与特许之制程开发进度稍有落后，以致时间表可能会较原先预期延迟1～2季。

该报导引述特许全球营销及服务副总裁Kevin Meyer说法指出，IBM与特许90奈米技术研发正依照进度进行，预估2003年内即可将原型（prototype）平台提供给客户，且可望透过与IBM产能之整合实现多任务晶圆（multi-project wafer；MPW）概念。

所谓MPW系指将不同设计之IC制造在单一晶圆上，此举可缩小IC测试面积、降低IC原型输出成本。Meyer表示会于9月18日特许在美国圣荷西召开技术论坛之前，公布90奈米CMOS技术原型和相关信息。

IBM、特许宣布合作开发90奈米制程技术时曾表示，预计能在2003年第二季以IBM 8吋晶圆输出产品原型，之后第三季再以12吋晶圆试产，而特许可运用IBM纽约州East Fishkill厂产能输出原型或试产90奈米制程芯片，待2005年特许在新加坡12吋厂Fab 7启用后，IBM亦可享用该厂产能。