联电与台大共同宣布，合作研发出一个适用于Wimax系统的射频收发器芯片。该产品操作于5GHz频段低噪声放大器（LNA）之下，噪声指数为1.78dB；其于低电压操作（1V）的接收器射频前端（Receiver Radio Frequency Front End）也达成5~6dB的噪声指数。除此之外，该射频收发器采用全新的系统架构，在最精简化的设计下，有效降低直接降频接收器会遭遇的直流偏移问题。此项设计将可作为商业应用产品的SIP（硅智产）。

该研究是由国立台大电子工程学研究所吕学士教授带领其研究生所研发。吕教授表示，获得如联电这样的半导体业者的支持，能扩展研究范围，更进一步探索新兴WiMax的研发领域。联电0.18微米CMOS制程所展现的射频效能，远超过期待。透过这次双方的共同努力，能将这个射频收发器呈现在世人眼前。

目前联电与台大已经针对此新式系统架构，共同提出专利的申请，预计在明年将顺利取得专利权。此次合作成果系属于联电与台大之间，自2005年起为期两年之校园合作计划的其中一部份。