EV Group（EVG）宣布推出EVG 850 NanoCleave薄膜剥离系统，这是首款采用EVG革命性NanoCleave技术的产品平台。EVG850 NanoCleave系统使用红外线（IR）雷射搭配特殊的无机物材质，在透过实际验证且可供量产（HVM）的平台上，以奈米精度让已完成键合、沉积或增长的薄膜从矽载具基板释放。因此，EVG850 NanoCleave无需使用玻璃载具，可为先进封装达成超薄的小晶片堆叠，并为先进逻辑、记忆体与功率元件的制作等前端处理达成超薄的3D薄膜堆叠，以支援未来3D异质整合的产品发展蓝图。

EVG 850 NanoCleave薄膜剥离系统内部图。（来源：EV Group）

第一台EVG850 NanoCleave系统已安装於客户的厂房内，另外在客户的站点与EVG总部也将向客户与合作夥伴们展示近24个产品。

在3D异质整合过程中，玻璃基板已成为透过与有机黏着剂暂时键合来建构元件层的既定方法，使用紫外线（UV）波长雷射溶解黏着剂并释放已与最终的晶圆产品永久键合的元件层。然而，半导体晶圆制造设备是为矽晶圆而设计，因此用来处理玻璃基板相当困难，且所需的设备升级也相当昂贵。此外，有机黏着剂的加工温度一般限制在300℃以下，限制了其在後端加工的使用。

利用无机的脱模层使用矽晶圆载具可以避免温度与玻璃载具的相容性问题。此外，红外线雷射启动的切割技术的奈米精度，允许在不改变记录制程的情况下加工极薄的装置晶圆。随後堆叠此类极薄的元件层，可实现更高频宽的互连，并为下一代高效能元件设计和分割晶片开启各种全新契机。

下一代电晶体节点需要薄膜转移制程

同时，3奈米节点以下的电晶体产品发展蓝图，需要全新的架构与设计上的创新，如埋入式电源轨、晶背供电网路、互补式场效电晶体（CFET）与2D原子级通道等，这些都需要极薄材料的薄膜转移。矽晶圆载具与无机的脱模层支援前端制造流程所需的制程清洁度、材料相容性与高加工温度。不过，到目前为止矽晶圆载具仍然必须使用研磨、抛光与蚀刻才能完全去除，导致工作元件层的表面留下微米级的变异；使得该方法不适合用於先进节点的薄层堆叠。

「可释放」的熔融接合

EVG850 NanoCleave利用红外线雷射与无机脱模材料，在生产环境中以奈米精度，为矽晶圆载具达成雷射切割。此创新的流程免除使用玻璃基板与有机黏着剂的需求，实现了超薄膜转移与下游制程的前端制程相容性。EVG850 NanoCleave的高温相容性（最高可达1,000℃）可为最严苛的前端处理提供支援；而室温的红外线切割步骤，则可确保元件层与载具基板的完整性。薄膜转移流程消除了与载具晶圆的研磨、抛光及蚀刻相关的昂贵溶剂需求。